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型号 IPP12CN10L G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
IPP12CN10L G PDF
代理商 IPP12CN10L G
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 69A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 69A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 5600pF @ 50V
功率 - 最大 125W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 PG-TO220-3
包装 管件
其它名称 SP000308792
SP000680864
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